Relaxacao de dipolos induzida por luz em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' do tipo-n (1995)
Source: Extended Abstracts: Working Group on the Physics of Semiconductors. Conference titles: Brazilian Meeting on Condensed Matter Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
ABNT
OLIVEIRA, L. e SCALVI, L V A e SIU LI, Máximo. Relaxacao de dipolos induzida por luz em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' do tipo-n. 1995, Anais.. Caxambu: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 21 maio 2024.APA
Oliveira, L., Scalvi, L. V. A., & Siu Li, M. (1995). Relaxacao de dipolos induzida por luz em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' do tipo-n. In Extended Abstracts: Working Group on the Physics of Semiconductors. Caxambu: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.NLM
Oliveira L, Scalvi LVA, Siu Li M. Relaxacao de dipolos induzida por luz em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' do tipo-n. Extended Abstracts: Working Group on the Physics of Semiconductors. 1995 ;[citado 2024 maio 21 ]Vancouver
Oliveira L, Scalvi LVA, Siu Li M. Relaxacao de dipolos induzida por luz em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' do tipo-n. Extended Abstracts: Working Group on the Physics of Semiconductors. 1995 ;[citado 2024 maio 21 ]